유명한 토토 사이트 볼 수 있는 서지、링깅의 거동을 시뮬레이션으로

전원 장치와 호환 가능
인쇄유명한 토토 사이트기판 설계 방법

과제

전력 장치의 고속 스위칭을 지원하는 인쇄 유명한 토토 사이트 기판을 개발하고 싶습니다

EV, 로봇 등의 이동성과 전력망의 전기화 및 디지털화로 인해 전력 전자 기술에 대한 수요가 증가하고 있습니다 특히 차세대 전력소자(SiC, GaN)는 스위칭 속도가 빠르고, 기존 Si 소자보다 손실이 적으며, 변환 효율이 높다는 장점이 있어 주목받고 있다 인쇄 유명한 토토 사이트 기판의 기생 성분(주로 배선의 인덕턴스 성분)이 크면 스위칭 노드에서 큰 서지 전압과 링잉이 발생하여 유명한 토토 사이트 작동이 불안정해지고 부품이 손상될 수 있습니다

우리의 제안

이 문제를 해결하기 위해 기생 인덕턴스를 줄이는 패턴 유명한 토토 사이트 방법과 유명한 토토 사이트 단계에서 시뮬레이션을 통해 전압 및 전류 파형과 노이즈 단자 전압을 예측하는 방법을 개발했으며 이에 대한 예를 소개하겠습니다

1 주제

SiC-MOSFET을 탑재한 상용 하프 브리지 DC-DC 보드를 사용하여 전압 및 전류 파형의 실제 측정 및 시뮬레이션을 비교했습니다 그림 1은 실제 측정 환경(이중 펄스 테스트)을 보여줍니다 유명한 토토 사이트구동조건은 드레인과 소스 사이에 DC600V를 입력하고, 300V 출력단자에 400uH와 300uF LC 평활유명한 토토 사이트를 연결하였으며, 부하저항은 33Ω으로 하였다 또한, 게이트 구동은 함수 발생기를 이용하여 외부에서 제어하였고, 게이트 전압도 22V DC로 외부에서 입력하였다 시뮬레이션에서는 패턴 데이터를 기반으로 전자기장 분석을 통해 S-파라미터를 추출하였고, 전력소자의 SPICE 모델을 유명한 토토 사이트 시뮬레이터와 통합하여 전압 및 전류 파형을 도출하였다

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그림 1 고전압/전류 측정 환경

2 평가 결과

그림 2는 실제 측정과 시뮬레이션 간의 비교로서 MOSFET 드레인-소스 전압 및 전류 파형을 보여줍니다 시뮬레이션을 통해 측정된 파형에서 나타나는 서지 및 링잉 동작을 대략적으로 재현할 수 있음을 알 수 있습니다 참고로 이는 보드의 기생 성분(전자기장 분석을 통해 추출한 S-파라미터)을 사용하지 않으면 재현할 수 없으며, 보드의 기생 성분을 변화시키기 때문에 패턴 유명한 토토 사이트가 중요하다는 것을 확인했습니다 또한, 매우 정확한 전자기장 해석을 수행하기 위해 실제 측정을 통해 계산 방법(유한요소법, 모멘트법)의 타당성을 검증하기도 합니다

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그림 2 전압 및 전류 파형의 실제 측정과 시뮬레이션 비교

그림 2 전압 파형의 실제 측정
시뮬레이션 비교

그림 2 전류 파형의 실제 측정
시뮬레이션 비교

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결과

시뮬레이션을 통해 전력 소자의 고속 스위칭과 관련된 동작 재현

시중에서 판매되는 SiC-MOSFET 탑재 보드를 사용하여 드레인-소스 전압 및 전류 파형의 실제 측정과 시뮬레이션을 비교했습니다 전자기장 분석을 통해 인쇄유명한 토토 사이트기판의 기생 성분을 추출함으로써, 시뮬레이션을 통해 드레인과 소스 사이의 서지 전압과 링잉을 대략적으로 재현할 수 있음을 확인했습니다

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